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パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社 | |
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勤務地(詳細) | 京都市西京区 |
想定年収 | 600~1000万円 |
雇用形態 | 正社員 |
募集背景 | 部門・体制強化の為 |
業務内容 |
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作(パッケージ/モジュール)を強化するための採用です。また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。 【募集背景】 製品化に伴う量産体制確立のため新規増員採用 【求人企業について】 高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化していくための人員の強化を進めています。また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。 in8 |
応募資格(詳細) |
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下の【1】~【4】いずれか経験がある方 【1】パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験 【2】ファウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 【歓迎】 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
休日休暇 |
年間休日:120日以上 休日:完全週休二日制(土曜・日曜・祝日) 休暇:年末年始休暇、夏季休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、有給休暇 |
勤務時間 |
9:00~18:00(休憩60分) 専門業務型裁量労働制 1日あたりのみなし労働時間:8時間00分 |
待遇・福利厚生 |
各種社会保険(健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険) 通勤交通費(会社規定に基づき支給) |
業種 | メーカー(電気/電子/半導体) |
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事業内容 | 半導体デバイス設計 |
従業員数 | 8名 |
更新日:2024/04/24 08:42:36 提供:東洋ワーク
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※HPに掲載の無い非公開案件も多数ございます。お気軽にお問い合わせください。
生産管理(生産工程リーダー)/電子機器メーカー【京都】※転勤なし
勤務地:京都市南区
年収:400~550万円
【京都】電子回路設計/電子機器メーカー(未経験OK) ※転勤なし
勤務地:京都市下京区
年収:300~450万円
【京都】電子回路設計/電子機器メーカー ※転勤なし
勤務地:京都市下京区
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【京都】機械設計(第二新卒歓迎)/スリッター・周辺産業機械及び関連制御機器等の設計・製造 ※転勤なし
勤務地:京都市南区
年収:400~450万円
【京都】機械設計/スリッター・周辺産業機械及び関連制御機器等の設計・製造等 ※転勤なし
勤務地:京都市南区
年収:400~500万円